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    [課題]提供一種可由已施行強固的強化處理的大型玻璃母材，穩定採用複數枚玻璃基板之玻璃基板之製造方法。[解決手段]玻璃基板之製造方法係包含第1化學研磨步驟及第2化學研磨步驟。在第1化學研磨步驟中，係僅在玻璃母材(10)的第1主面以預定的單面研磨量施行化學研磨處理。在第2化學研磨步驟中，係在第1主面及第2主面的雙方施行化學研磨處理。接著，使被形成在第1主面的第1區劃溝(102)、及被形成在第2主面的第2區劃溝(104)，在由玻璃母材(10)的厚度方向的中心線(110)以相當於單面研磨量的偏移量(114)偏離的位置貫穿。
    公开号:TW201315702A
    申请号:TW101123487
    申请日:2012-06-29
    公开日:2013-04-16
    发明作者:Sakae Nishiyama；Yasuhiro Kashihara
    申请人:Nsc Co Ltd；
    IPC主号:G06F3-00
    专利说明:
    玻璃基板之製造方法
    本發明係關於將被施行強化處理的玻璃母材，且為以跨越應切斷的位置亦即區劃線的方式在第1主面及第2主面形成有阻劑層的玻璃母材，藉由化學研磨處理進行切斷分離，藉此獲得複數玻璃基板的玻璃基板之製造方法。
    在被適用於行動電話等顯示裝置的螢幕的防護玻璃或觸控面板，係大部分基於其透明性而使用玻璃基板。如上所示之玻璃基板係由提高裝置的攜帶性的觀點來看，被要求薄型化，另一方面，由安全性等觀點來看，則被要求高強度化。因此，以往嘗試將藉由風冷強化法或化學強化法等施行強化處理的強化玻璃使用在玻璃基板。尤其，對於被要求薄度的顯示裝置用玻璃基板，廣為使用化學強化處理。
    但是，已施行化學強化處理等強化處理的強化完畢玻璃係有不易進行切斷等加工的傾向。一般而言，係當將σc設為壓縮應力〔MPa〕、DOL設為化學強化層的厚度〔μm〕、T設為板厚〔μm〕、及σT設為CT值(Calculated Tensile Stress)〔MPa〕時，以下式所計算的σT的值亦即CT值愈大，則化學強化玻璃的切斷等加工愈為困難。
    若無法進行切斷等加工，由於變得無法由大型的強化處理完畢玻璃母材採用複數枚玻璃基板，因此只好對於單個玻璃基板進行化學強化處理或晶片領域形成處理等。因此，無法達成使用強化玻璃之玻璃基板的生產性的提升，而會有玻璃基板的生產成本增大的問題。
    因此，在習知技術之中存在一種藉由壓縮應力層的厚度(相當於上述DOL)設為10μm以上30μm以下、及壓縮應力的值(相當於上述σc)設為30kgf/mm2以上60kgf/mm2以下(294MPa以上588MPa以下)來使切斷性提升的化學強化玻璃(參照例如專利文獻1)。藉由該技術，可穩定進行滿足市場需求的化學強化玻璃的切斷。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
    [專利文獻1]日本特開2004-83378號公報
    但是，在上述專利文獻1之技術中，會有僅可切斷壓縮應力層(化學強化層)的厚度及壓縮應力的值在預定範圍內者的不良情形。實際上，若上述CT值為15左右，則可切斷，但是若CT值為20左右，會產生無法沿著切割線進行分斷的情形，或者若加強切斷壓力時，會有玻璃發生破壞的不良情形發生。另一方面，由於存在圖求更為薄型且更為強固的玻璃基板的市場需求，因此可謂為圖求一種關於CT值超過20者，亦可穩定切斷的技術。
    本發明之目的在提供可由已施行強固強化處理的大型玻璃母材，穩定採用複數枚玻璃基板之玻璃基板之製造方法。
    本發明之玻璃基板之製造方法係將被施行強化處理的玻璃母材，且為以跨越應切斷的位置亦即區劃線的方式在第1主面及第2主面形成有阻劑層的玻璃母材，藉由化學研磨處理進行切斷分離，藉此獲得複數玻璃基板者。在此主面意指除了玻璃母材的周圍6面中的4端面以外的表側與背側的2平面。該玻璃基板之製造方法係包含第1化學研磨步驟及第2化學研磨步驟。在第1化學研磨步驟中，係僅在玻璃母材的第1主面以預定的單面研磨量施行化學研磨處理。在第2化學研磨步驟中，係在第1主面及第2主面的雙方施行化學研磨處理。
    在進行第2化學研磨處理之前或後，進行第1化學研磨處理，藉此使被形成在第1主面的第1區劃溝、及被形成在第2主面的第2區劃溝，在由玻璃母材的厚度方向的中心以相當於前述單面研磨量的量偏離的位置貫穿。
    第1化學研磨處理(單面化學研磨處理)及第2化學研磨處理(雙面化學研磨處理)係可以該順序進行，即使使順序前後相反進行，亦可享受相同的作用效果。
    通常若上述CT值超過20左右，在切割裂片法等物理性方法中，玻璃母材變得不易切斷，此外，即使在藉由化學研磨處理來切斷的情形下，亦有在藉由蝕刻所發生的區劃溝貫穿的同時，玻璃基板發生破裂的傾向。但是，如上所述，藉由使第1區劃溝及第2區劃溝，在由玻璃母材的厚度方向的中心以相當於單面研磨量的量偏移的位置貫穿，在貫穿的同時在玻璃基板所發生的內部應力變化減低，而可防止玻璃基板破裂。
    此外，較佳為在第1區劃溝及第2區劃溝貫穿後，另外進行使玻璃基板的端面變形為剖面視下呈圓弧狀的端面處理。藉由進行該端面處理，由玻璃基板中的端面的突出部的厚度方向的中心矯正偏移，可期待外觀性或強度會提升。其中，在此，圓弧狀並非僅意指曲率半徑完全相一致的圓的一部分，而是設為亦包含曲率半徑彼此在±5%左右的範圍內彼此不同的複數圓弧呈連續的形狀。
    藉由本發明，可由已施行強固的強化處理的大型玻璃母材，穩定採用複數枚玻璃基板。
    圖1(A)及圖1(B)係顯示施行本發明之製造方法之玻璃母材10的概略。玻璃母材10係例如具有400×500mm左右的面積，使用被薄型化成板厚0.5mm~1.2mm左右(在本實施形態中為0.7mm左右)之由矽酸鋁玻璃所成的玻璃母材10。玻璃母材10係在例如350~450℃左右的硝酸鉀熔融鹽中進行化學強化處理。玻璃母材10係在進行化學強化處理後，在第1主面側形成有具有觸控面板用的感測器元件等的複數晶片領域(使用領域)及保護晶片領域的保護層，之後另外在第1主面及第2主面形成有耐酸性的阻劑層14。
    阻劑層14係以跨越用以區劃上述晶片領域的線寬1mm~5mm左右的區劃領域的方式形成。關於阻劑層14所使用的耐氫氟酸蝕刻阻劑，係可使用各式各樣者，例如在本實施形態中係使用Nippon Paint股份有限公司製OPTO(註冊商標)。在玻璃母材10的第2主面係另外由阻劑層14之上黏貼有耐酸性薄膜12。
    耐酸性薄膜12係通常被附加在與形成有晶片領域之面的相反側。其理由在於改善晶片領域側的阻劑層14的剝離性之故。此外，耐酸性薄膜12係以空氣不會混入至與玻璃母材10之間的方式進行黏貼為佳。在本實施形態中，係使用玻璃疊合機來進行耐酸性薄膜12的黏貼，但是並非限定於此。此外，在此，以耐酸性薄膜12而言，使用由厚度70μm左右的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)所構成的樹脂薄膜，但是亦可使用其他素材的薄膜。其中，在圖1(A)中係顯示黏貼耐酸性薄膜12前的玻璃母材10，在圖1(B)中係顯示在第2主面黏貼有耐酸性薄膜12的玻璃母材10。
    黏貼有耐酸性薄膜12的玻璃母材10係在進行化學研磨處理前先被安置在玻璃支持具16內。玻璃支持具16係藉由聚氯乙烯等具有耐氫氟酸性的素材所構成。此外，玻璃支持具16係具備有複數個以支持玻璃母材10的端部的方式所構成的導引溝，以可由開口面沿著導引溝插入玻璃母材10的方式所構成。若將複數玻璃母材10沿著導引溝插入在玻璃支持具16內，在複數玻璃母材10彼此設有間隙的狀態下，而且在各個垂直豎立的狀態下被配置在玻璃支持具16內。當對玻璃母材10進行化學研磨處理時，係使收容有玻璃母材10的玻璃支持具16浸漬在化學研磨槽。
    接著，使用圖3(A)~圖3(B)，說明對玻璃母材10的化學研磨處理。以化學研磨液而言，使用含有2~10重量%的氫氟酸、2~6重量%的硫酸、5~20重量%的鹽酸者。若使玻璃母材10浸漬在化學研磨液，如圖3(A)所示，玻璃母材10的第1主面中未設有阻劑層14的部分被蝕刻而形成第1區劃溝102。另一方面，由於在玻璃母材10的第2主面黏貼有耐酸性薄膜12，因此第2主面並未被蝕刻。
    接著，在第1區劃溝102以所希望的量深化的階段，由化學研磨槽取出玻璃支持具16，將耐酸性薄膜12由玻璃母材10剝離。耐酸性薄膜12被剝離後的玻璃母材10係再度被安置在玻璃支持具16，且送回至化學研磨槽內。僅將第1主面進行單面化學研磨的單面研磨量係藉由玻璃母材10的CT值來進行設定。原則上，單面研磨量係必須隨著CT值變大而增加，但是若考慮到後處理的方便等，以形成為儘可能小的值為佳。在本實施形態中，係對CT值25左右的化學強化玻璃，施行50μm左右的單面研磨。
    之後，如圖3(B)所示，在玻璃母材10的第1主面，第1區劃溝102更加深化，另一方面，玻璃母材10的第2主面中未設有阻劑層14的部分被蝕刻而形成第2區劃溝104。此外，若繼續化學研磨處理時，如圖3(C)所示，第1區劃溝102及第2區劃溝104會更加深化。若玻璃母材10中未設有阻劑層14的部分的厚度成為0.1mm左右，則由化學研磨槽取出玻璃支持具16。
    接著，玻璃母材10係在使第1主面為上的狀態下被水平載置於玻璃支持具18上。玻璃母材10之上係視需要載置有未圖示之其他玻璃支持具18。接著，支持有玻璃母材10的玻璃支持具18被浸漬在化學研磨槽內。若玻璃母材10被浸漬在化學研磨槽時，如圖5(A)所示，第1區劃溝102及第2區劃溝104更加深化，不久第1區劃溝102及第2區劃溝104即貫穿。由於第1區劃溝102及第2區劃溝104貫穿，玻璃母材10被切斷，而得如圖4(B)及圖5(B)所示之複數玻璃基板100。
    通常藉由蝕刻來切斷上述CT值超過20左右的化學強化玻璃時，在與區劃溝貫穿的同時，玻璃基板100會破裂。但是，如本實施形態所示，首先藉由進行單面研磨，防止在與區劃溝貫穿的同時，玻璃基板100發生破裂的情形。
    防止玻璃基板100在區劃溝貫穿的同時發生破裂的機制的詳細內容雖不明確，但是經許多實驗的結果，該機制被推測如下。亦即，通常在同時蝕刻玻璃母材10中的第1主面及第2主面時，在圖5(B)所示之中心線110上，區劃溝貫穿，稜線112位於中心線110上。在此，在化學強化玻璃中，係在表面形成壓縮應力層，另一方面，在背面形成拉伸應力層，在中心線110上，被認為拉伸應力變得最強。若區劃溝在該拉伸應力變得最強的部位貫穿時，在貫穿的同時所發生的內部應力的變化會巨大化，被預測玻璃基板會破裂。
    因此，在本發明之實施形態中，由於在該拉伸應力變得最強之由中心線110偏移預定偏移量114的位置發生玻璃基板的稜線112，因此採用上述單面研磨處理。經由實驗可知，上述偏移量114在原則上必須隨著CT值變高而設定為較大。其理由在於偏移量114變大而愈遠離中心線，玻璃母材10的內部的拉伸應力愈為降低之故。另一方面，若將偏移量114加大至所需以上時，由於會有強度或設計性降低的可能性，因此偏移量114係可謂為以在可防止玻璃基板100發生破裂的範圍內儘可能地設定為較小為佳。
    例如玻璃母材10的板厚為0.5mm~1.2mm左右，若CT值至30左右，藉由將偏移量114設定為50μm~100μm，來防止玻璃基板100破裂。例如，由於將偏移量114設定為50μm，因此以約2~3μm/分鐘左右的蝕刻率來執行單面化學研磨處理20分鐘左右後，以4~6μm/分鐘左右的蝕刻率，進行雙面化學研磨處理至區劃溝貫穿為止即可。在本實施形態中，係將單面研磨速度設定為2.5μm/分鐘，而且將雙面研磨速度設定為5μm/分鐘，但是研磨速度係可視需要來作適當增減。
    接著，使用圖6(A)~圖6(B)，說明適用於各玻璃基板100的端面的端面處理。如圖6(A)所示，在區劃溝貫穿的時點，玻璃基板100的端面係在稜線112的位置形成為尖的形狀。因此，較佳為在區劃溝貫穿而得複數玻璃基板100之後，亦以玻璃基板100的端面在剖面視下呈圓弧狀的方式進行端面處理。
    若對玻璃基板100施行端面處理，係在以玻璃支持具18支持複數玻璃基板100的上下面的狀態下，將玻璃基板100浸漬在化學研磨槽1小時~10小時左右。此時，較佳為將欲蝕刻更多之側(在本實施形態中為第2主面側)形成為上。其理由在於上側之面不易滯留污泥等而使更為新鮮的化學研磨液容易循環，因此會有研磨速度高於下側的傾向之故。如圖6(A)所示，第2主面側的研磨量大於第1主面側的結果，取得第1主面側及第2主面側的平衡。在本實施形態中，係藉由將欲蝕刻更多之側形成為上來進行端面處理，來取得第1主面側及第2主面側的平衡，但是端面處理的方法並非限定於此。例如，即使藉由將蝕刻液的循環速度以上下設置差異，或將蝕刻液的黏度以上下設置差異，亦可得相同的作用效果。
    端面處理已結束的玻璃基板100係被浸漬在收容有苛性鹼或TMAH(氫氧化四甲銨)及DMI(1,3-二甲基-2-咪唑啉酮)的混合液等鹼性剝離液的剝離槽，如圖6(C)所示，阻劑14被剝離。藉由以上處理，可由化學強化完畢的玻璃母材，穩定且有效率地獲得複數玻璃基板。其中，在本實施形態中，係說明在阻劑層14剝離前進行端面處理之例，但是進行端面處理並非一定為必須。若即使形成在玻璃基板100的端面的稜線112由厚度方向的中心偏離，亦在實用上不成問題，則無須進行端面處理，即可使用玻璃基板100。
    在上述實施形態中，係說明先在進行單面化學研磨處理後，再進行雙面化學研磨處理之例，但是即使先進行雙面化學研磨處理後，再進行單面化學研磨處理，亦可達成相同的作用效果，因此可視需要來變更處理的順序。
    接著，使用圖7(A)及圖7(B)，說明單面研磨處理的變化。在上述實施形態中，在玻璃母材10的第2主面黏貼有耐酸性薄膜12的狀態下以預定時間進行化學研磨處理，藉此防止區劃溝在厚度方向的中心貫穿。用以防止區劃溝在厚度方向的中心貫穿的手法，係亦可藉由上述黏貼耐酸性薄膜12以外的方法來達成。
    圖7(A)及圖7(B)係一面藉由搬送滾輪36來搬送玻璃母材10，一面藉由被配置在搬送滾輪36的上下的上側淋洗噴嘴34及下側淋洗噴嘴32來進行化學研磨處理的單片式化學研磨裝置30。在該研磨裝置30中，如圖7(A)所示，即使藉由一面僅由下側淋洗噴嘴34噴射蝕刻液一面以預定時間進行單面化學研磨處理，亦可使用上述耐酸性薄膜12而得與單面研磨處理同樣的作用效果。此時，亦可在如圖7(A)所示進行單面化學研磨處理後，移至圖7(B)所示之雙面化學研磨處理，亦可在如圖7(A)所示進行單面化學研磨處理後，進行對上述化學研磨液槽的浸漬處理。此外，亦可視需要，使用上述玻璃支持具18來一面支持玻璃母材10一面搬送。此外，亦可變更單面化學研磨處理及雙面化學研磨處理的順序。
    此外，在上述實施形態中，係說明將大型玻璃母材10切斷而得複數長方形玻璃基板之例，但是玻璃基板100的形狀並非限定於圖8(A)所示之長方形。玻璃基板的形狀係可藉由光微影技術來適當變更被形成在阻劑層14的區劃領域的形狀而形成為任意形狀。若將玻璃母材藉由化學研磨處理進行切斷，如圖8(B)所示，即使為曲率半徑較小的複數圓弧呈連續的複雜形狀，亦不成問題，此外，即使為如在端部近傍設有貫穿孔152的形狀，亦不成問題。
    藉由上述之製造方法所得之玻璃基板100係可作為構成觸控面板一體型的液晶顯示器的使用者側的玻璃基板來使用。此外，亦可作為行動電話機的液晶顯示器的防護玻璃來使用。
    被設在晶片領域的感測器元件係一般較不耐熱，因此不易對形成有晶片領域的玻璃進行化學強化處理，但是若藉由本發明之實施形態，可穩定地切斷形成有晶片領域的化學強化完畢的大型玻璃母材10而得複數玻璃基板100，因此尤其在裝載有觸控面板用的感測器元件的玻璃基板中，可使生產性明顯提升。
    上述實施形態的說明在所有方面均為例示，應考慮為不具限制性者。本發明之範圍係藉由申請專利範圍而非上述實施形態來表示。此外，在本發明之範圍係意圖包含有在與申請專利範圍均等的涵義及範圍內的所有變更。
    10‧‧‧玻璃母材
    12‧‧‧耐酸性薄膜
    14‧‧‧阻劑層
    16‧‧‧玻璃支持具
    18‧‧‧玻璃支持具
    30‧‧‧研磨裝置
    32‧‧‧下側淋洗噴嘴
    34‧‧‧上側淋洗噴嘴
    36‧‧‧搬送滾輪
    100‧‧‧玻璃基板
    102‧‧‧第1區劃溝
    104‧‧‧第2區劃溝
    110‧‧‧中心線
    112‧‧‧稜線
    114‧‧‧偏移量
    152‧‧‧貫穿孔
    圖1係顯示施行本發明之實施形態之玻璃基板之製造方法的玻璃母材的概略圖。
    圖2係顯示將玻璃母材以縱置式安置在玻璃支持具的狀態圖。
    圖3係說明藉由化學研磨處理而在玻璃母材形成有區劃溝的狀態圖。
    圖4係顯示將玻璃母材以橫置式安置在玻璃支持具的狀態圖。
    圖5係顯示區劃溝貫穿後的狀態的玻璃部材的狀態圖。
    圖6係顯示對玻璃基板的端面施行化學研磨處理的狀態圖。
    圖7係顯示本發明之其他實施形態的圖。
    圖8係顯示適用本發明之玻璃母材之其他例的圖。
    10‧‧‧玻璃母材
    14‧‧‧阻劑層
    100‧‧‧玻璃基板
    102‧‧‧第1區劃溝
    104‧‧‧第2區劃溝
    110‧‧‧中心線
    112‧‧‧稜線
    114‧‧‧偏移量
    权利要求:
    Claims (2)
    [1] 一種玻璃基板之製造方法，其係將被施行強化處理的玻璃母材，且為以跨越應切斷的位置亦即區劃線的方式在第1主面及第2主面形成有阻劑層的玻璃母材，藉由化學研磨處理進行切斷分離，藉此獲得複數玻璃基板之玻璃基板之製造方法，其特徵為包含：僅在第1主面以預定的單面研磨量施行化學研磨處理的第1化學研磨步驟；及在第1主面及第2主面的雙方施行化學研磨處理的第2化學研磨步驟，使被形成在第1主面的第1區劃溝、及被形成在第2主面的第2區劃溝，在由玻璃母材的厚度方向的中心以相當於前述單面研磨量的量偏離的位置貫穿。
    [2] 如申請專利範圍第1項之玻璃基板之製造方法，其中，在前述第1區劃溝及前述第2區劃溝貫穿後，另外包含進行使玻璃基板的端面變形為剖面視下呈圓弧狀的端面處理的端面處理步驟。
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    JP6323067B2|2014-02-28|2018-05-16|大日本印刷株式会社|カバーガラス、およびカバーガラスの貫通孔部の形成方法|
    法律状态:
    2020-12-21| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011145170A|JP5166573B2|2011-06-30|2011-06-30|ガラス基板の製造方法|
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